SK 海力士公布 3D FeNAND 模拟存内计算研究

SK 海力士公布了 3D FeNAND 实现模拟存内计算（A-CiM）的研究成果，相关论文已发表于 IEEE。该技术利用铁电材料的极化状态存储数据并控制电流，可在单个存储单元内产生多种电流状态，适用于 AI 计算所需的权重数据。 据 SK 海力士介绍，3D FeNAND 能直接在存储器内执行乘积累加运算（MAC），从而减少数据搬运，提升处理速度和能效。目前公开的是研究成果层面，尚未提及量产或商用安排。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。