基辛格批HBM为"糟糕的内存"
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基辛格批HBM为"糟糕的内存"
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AI 综述
前英特尔CEO帕特·基辛格在a16z专访中批评高带宽内存（HBM）是"糟糕的内存"，称其位密度低、带宽受限且功耗散热问题突出，对AI这类内存计算密集型负载是灾难性的。 基辛格提到，HBM3/3E总线宽度为1,024位，HBM4将提升至2,048位；他引用韩国科学技术院的分析称，HBM功耗超过约30瓦时，物理层接口自身发热会成为内存热应力的主要来源。
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最新进展10月14日 15:47
前英特尔 CEO 基辛格称 HBM 是“糟糕的内存”报道时间线
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10月14日
- IT之家前英特尔 CEO 基辛格称 HBM 是“糟糕的内存”
前英特尔首席执行官帕特·基辛格在 a16Z 专访中批评高带宽内存（HBM）为“糟糕的内存”，指出其位密度低、带宽受限且功耗散热问题突出，认为对 AI 这类内存计算密集型负载是灾难性的。他提到 HBM3/3E 总线宽度为 1,024 位、HBM4 提升至 2,048 位，韩国科学技术院分析显示 HBM 功耗超过约 30 瓦时，物理层接口自身发热会成为内存热应力主要来源。
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